包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：170W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：70A

类型：MOSFET

导通电阻：4.1mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：4657}

包装规格(MPQ)：6000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.5W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：43nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：4657}

包装规格(MPQ)：6000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.5W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：43nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2574}

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA170N10S5N031AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：197W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：170A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：170W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：70A

类型：MOSFET

导通电阻：4.1mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS3D2N10MDT1G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：155W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：48nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：142A

类型：MOSFET

导通电阻：3.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.3nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：540mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：4657}

包装规格(MPQ)：6000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.5W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：43nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：170W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：70A

类型：MOSFET

导通电阻：4.1mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：XPH4R10ANB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：170W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：70A

类型：MOSFET

导通电阻：4.1mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SP8K52HZGTB

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：6000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.5W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：43nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：6000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：2.5W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：43nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：6.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.1W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.3nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：1.5A

类型：MOSFET

导通电阻：540mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：8926，"22+"：38958}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：170mA

类型：MOSFET

导通电阻：10Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK60S10N1L，LXHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：180W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：60nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：60A

类型：MOSFET

导通电阻：6.11mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：24W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：14.2A

类型：MOSFET

导通电阻：54mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2200，"9999"：950}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1