品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S4-06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:58W
阈值电压:3V
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:5.9mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC360N15NS3 G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:3V
栅极电荷:12nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:36mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP114N12N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:3V
栅极电荷:49nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:11.4mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP039N04L G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:94W
阈值电压:3V
栅极电荷:78nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:80A
类型:MOSFET
导通电阻:3.9mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N62K3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:3V
栅极电荷:42nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8.4A
类型:MOSFET
导通电阻:680mΩ
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V
栅极电荷:15nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:1.7A
类型:MOSFET
导通电阻:7.2Ω
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:132W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.14mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2096,"20+":4000,"22+":12351,"23+":248050,"24+":1939,"MI+":1084}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLU250N04S41R7XTMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:188W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:250A
类型:MOSFET
导通电阻:1.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:3V
栅极电荷:215nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M4R3-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:95A
类型:MOSFET
导通电阻:4.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG039N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:357W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:61A
类型:MOSFET
导通电阻:40mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2096,"20+":4000,"22+":12351,"23+":248050,"24+":1939,"MI+":1084}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLU250N04S41R7XTMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:188W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:250A
类型:MOSFET
导通电阻:1.7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4024}
包装规格(MPQ):1800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTG044N15NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:174A
类型:MOSFET
导通电阻:4.4mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R045CPA
工作温度:-40℃~+150℃
功率:431W
阈值电压:3V
栅极电荷:190nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:45mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:3V
栅极电荷:215nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R190G7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:76W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4024}
包装规格(MPQ):1800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTG044N15NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:174A
类型:MOSFET
导通电阻:4.4mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":5783,"16+":9000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0308CS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:113A
类型:MOSFET
导通电阻:3.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA040N08NM5SXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:39W
阈值电压:3V
栅极电荷:70nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:4.2mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A09GQTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.2nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:7.5A
类型:MOSFET
导通电阻:40mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: