品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2600}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS7D3N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:52A
类型:MOSFET
导通电阻:7.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD2N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V
栅极电荷:7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2.9A
类型:MOSFET
导通电阻:2.5Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2600}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS7D3N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:52A
类型:MOSFET
导通电阻:7.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS7D3N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:2V
栅极电荷:7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:52A
类型:MOSFET
导通电阻:7.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS7D3N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:52A
类型:MOSFET
导通电阻:7.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS7D3N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:52A
类型:MOSFET
导通电阻:7.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD2N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V
栅极电荷:7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2.9A
类型:MOSFET
导通电阻:2.5Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD2N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V
栅极电荷:7nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2.9A
类型:MOSFET
导通电阻:2.5Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS7D3N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:2V
栅极电荷:7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:52A
类型:MOSFET
导通电阻:7.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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