包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

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ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

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类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

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栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

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类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

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类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

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类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

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功率：57W

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连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

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包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

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栅极电荷：1.7nC

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连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

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包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISZ0501NLSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.1W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：3.1mΩ

漏源电压：25V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

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栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC052N03LS

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：12nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：57A

类型：MOSFET

导通电阻：5.2mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

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栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

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栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34

工作温度：-55℃~+175℃

功率：57W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：24nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：31mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1