品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:1V
栅极电荷:23nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:22mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M31-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70.2W
阈值电压:2.05V
栅极电荷:12.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:21mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M31-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70.2W
阈值电压:2.05V
栅极电荷:12.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:21mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M31-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70.2W
阈值电压:2.05V
栅极电荷:12.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:21mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M31-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70.2W
阈值电压:2.05V
栅极电荷:12.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:21mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M31-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70.2W
阈值电压:2.05V
栅极电荷:12.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:21mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M31-60ELX
包装方式:Reel
漏源电压:60V
栅极电荷:12.8nC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70.2W
连续漏极电流:35A
阈值电压:2.05V
类型:MOSFET
导通电阻:21mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
包装方式:Reel
漏源电压:40V
栅极电荷:40nC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
连续漏极电流:35A
导通电阻:7.6mΩ
阈值电压:1.2V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035VNX3C16
工作温度:-55℃~+150℃
功率:347W
阈值电压:6V
栅极电荷:50nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:114mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M31-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70.2W
阈值电压:2.05V
栅极电荷:12.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:21mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:1V
栅极电荷:23nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:22mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M31-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70.2W
阈值电压:2.05V
栅极电荷:12.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:21mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035VNX3C16
工作温度:-55℃~+150℃
功率:347W
阈值电压:6V
栅极电荷:50nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:114mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH434DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:7.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M31-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70.2W
阈值电压:2.05V
栅极电荷:12.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:21mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M31-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70.2W
阈值电压:2.05V
栅极电荷:12.8nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:35A
类型:MOSFET
导通电阻:21mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: