包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPA11N65C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.9V

栅极电荷：45nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA95R130PFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：141nC

包装方式：管件

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：950V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA95R130PFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：141nC

包装方式：管件

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：950V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA95R130PFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：141nC

包装方式：管件

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：950V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA21N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+155℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：7.5A

类型：MOSFET

导通电阻：205mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA95R130PFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：141nC

包装方式：管件

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：950V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA95R130PFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：141nC

包装方式：管件

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：130mΩ

漏源电压：950V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPA11N65C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：3.9V

栅极电荷：45nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA22N60AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：4V

栅极电荷：48nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：180mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1