采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：660mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：660mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2.9A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5A
类型：MOSFET
导通电阻：950mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS486CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：35.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：18A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：22.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5A
类型：MOSFET
导通电阻：950mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：6A
类型：MOSFET
导通电阻：660mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：22.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5A
类型：MOSFET
导通电阻：950mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5A
类型：MOSFET
导通电阻：950mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS486CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：35.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：18A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS486CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：35.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：18A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
导通电阻：1.35Ω
功率：62.5W
阈值电压：4V
包装方式：Tube
栅极电荷：11nC
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：4.4A
漏源电压：800V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1000psc
规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3
功率：62.5W
阈值电压：4V
包装方式：Reel
连续漏极电流：5A
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC
类型：MOSFET
导通电阻：950mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
导通电阻：1.35Ω
功率：62.5W
阈值电压：4V
包装方式：Tube
栅极电荷：11nC
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：4.4A
漏源电压：800V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：2500psc
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA2
功率：62.5W
阈值电压：3.5V
包装方式：Reel
漏源电压：650V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：22nC
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
导通电阻：660mΩ
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS486CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：35.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：18A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2.9A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD2N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：2.9A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：5A
类型：MOSFET
导通电阻：950mΩ
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
