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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
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功率：350mW
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连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
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功率：350mW
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连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
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规格型号(MPN)：DMN33D8LDW-7
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功率：350mW
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输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002KDW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：350mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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类型：2N沟道（双）
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功率：350mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
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漏源电压：30V
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连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN33D8LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
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连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN33D8LDW-7
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类型：2N沟道（双）
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002KDW-AU_R1_000A1
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：35pF@25V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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类型：2N沟道（双）
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN33D8LDW-7
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功率：350mW
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输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN33D8LDWQ-7
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功率：350mW
阈值电压：1.5V@100µA
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输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN33D8LDWQ-7
输入电容：48pF@5V
功率：350mW
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
阈值电压：1.5V@100µA
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN33D8LDW-7
输入电容：48pF@5V
功率：350mW
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
阈值电压：1.5V@100µA
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漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
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类型：2N沟道（双）
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN33D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002KDW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LDWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN33D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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