品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KA4TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA4TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA4TB
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KA4TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA4TB
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA4TB
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KA4TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KA4TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@7A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6884
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA4TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA4TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA4TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA4TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA4TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K4TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KA4TB
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6884
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6884
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K4TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: