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销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：EM6K1T2R
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功率：150mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
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规格型号(MPN)：EM6K1T2R
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
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输入电容：8.5pF@3V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@10mA，4V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
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功率：150mW
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输入电容：9.3pF@3V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：UM6K1NTN
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规格型号(MPN)：UM6K1NTN
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导通电阻：8Ω@10mA，4V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：UM6K1NTN
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阈值电压：1.5V@100µA
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输入电容：13pF@5V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
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输入电容：9.3pF@3V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：UM6K1NTN
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规格型号(MPN)：EM6K1T2R
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：UM6K1NTN
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规格型号(MPN)：EM6K1T2R
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：UM6K1NTN
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输入电容：13pF@5V
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类型：2N沟道（双）
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：UM6K1NTN
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
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输入电容：8.5pF@3V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：EM6K1T2R
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
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功率：150mW
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输入电容：9.3pF@3V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N16FE，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EM6K1T2R
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N44FE，LM
工作温度：150℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K1NTN
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13pF@5V
连续漏极电流：100mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
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