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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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类型：2N沟道（双）
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
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库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MTM78E2B0LBF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：12V
工作温度：150℃
功率：3.1W
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
类型：2N沟道（双）
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：12V
工作温度：150℃
功率：3.1W
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
类型：2N沟道（双）
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：12V
工作温度：150℃
功率：3.1W
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
类型：2N沟道（双）
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MTM78E2B0LBF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
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品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MTM78E2B0LBF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MTM78E2B0LBF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
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