品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3890
工作温度:-55℃~175℃
功率:900mW
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:44mΩ@4.7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGD3148NT1G
工作温度:-50℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1FRATR
工作温度:150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3890
工作温度:-55℃~175℃
功率:900mW
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:44mΩ@4.7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9926A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9926A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1FRATR
工作温度:150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6898AZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1821pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6898AZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1821pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9945
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6930B
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3890
工作温度:-55℃~175℃
功率:900mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@40V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:44mΩ@4.7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6982AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
连续漏极电流:6.3A€8.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1FRATR
工作温度:150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6898AZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1821pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6898AZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1821pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1FRATR
工作温度:150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LDV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9926A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6898A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1821pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LDV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6000,"24+":3400,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6910
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: