品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128.6pF@25V
连续漏极电流:2.11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:265mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:265mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:265mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNELZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:265mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW€1.09W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNELZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB550UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:265mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB550UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNELZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB550UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:265mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNELZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128.6pF@25V
连续漏极电流:2.11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW€1.09W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW€1.09W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128.6pF@25V
连续漏极电流:2.11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB550UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@15V
连续漏极电流:590mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:670mΩ@590mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:265mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW€1.09W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:265mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNELZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: