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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3135LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2805}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC150N03LDGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ926DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20.2W€40W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流：40A€60A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7934
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@15V
连续漏极电流：13A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4952DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@13V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7934
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@15V
连续漏极电流：13A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA928DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5922DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7934
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@15V
连续漏极电流：13A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7934
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@15V
连续漏极电流：13A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3932DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ926DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20.2W€40W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流：40A€60A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB02ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB02ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5922DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ926DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20.2W€40W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：925pF@10V€2150pF@10V
连续漏极电流：40A€60A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5936DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC150N03LDGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS89161LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSD62666E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7934
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@15V
连续漏极电流：13A€15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：10.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
