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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@9.6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL76DN4LF7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：956pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@9.6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1340pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1340pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1340pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1340pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@9.6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@9.6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL76DN4LF7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：956pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS8DN6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1340pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
导通电阻：30mΩ@4A，10V
功率：65W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
导通电阻：30mΩ@4A，10V
功率：65W
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL76DN4LF7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：956pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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