采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.39W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：7.63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：7.63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：7.63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：7.63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：7.63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：7960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.39W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：7.63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：7.63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：7.63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7244，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6866R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@16V
连续漏极电流：4.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：7.63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTQD6968NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.39W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@16V
连续漏极电流：6.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@16V
连续漏极电流：3.92A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：7.63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
