采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87502Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32.4mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87502Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32.4mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87352Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.5W
阈值电压：1.15V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87502Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32.4mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87502Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32.4mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87502Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32.4mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87351Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88537ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD85301Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：469pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88539NDT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
