采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@24V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4946DCS RLG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：910pF@24V
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
类型：2N沟道（双）
功率：2.4W
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7602S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：12A€17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6912A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：575pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPC8013S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW€900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@15V
连续漏极电流：13A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.4mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7994DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7994DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4900DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4900DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
