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    类型: 2N沟道(双)
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 3V@250µA
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    ST Mosfet场效应管 STL8DN10LF3 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL8DN10LF3 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8DN10LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7313QTR 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7313QTR 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF7313QTR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:29mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5875NLT1G 起订694个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5875NLT1G 起订694个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5875NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:33mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7103QTR 起订477个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7103QTR 起订477个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3800,"21+":5728,"22+":58000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF7103QTR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:255pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7341QTR 起订296个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7341QTR 起订296个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3975}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF7341QTR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7341QTR 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7341QTR 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF7341QTR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SSDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SSDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6042SSDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:16.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7103QTR 起订12000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7103QTR 起订12000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF7103QTR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:255pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9945

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL7DN6LF3 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STL7DN6LF3 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7DN6LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:43mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6021SPDQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@25V

    连续漏极电流:8.2A€32A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7341QTR 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7341QTR 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3975}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF7341QTR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPDQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPDQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9945

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7103QTR 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7103QTR 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF7103QTR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:255pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:130mΩ@3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9945

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPDQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPDQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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