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    类型: 2N沟道(双)
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1.1V@250µA
    行业应用: 工业
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    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKSH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKSH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKSH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2014LHAB-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKV,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKV,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKV,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AO9926C 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AO9926C 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO9926C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    AOS Mosfet场效应管 AO9926C 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO9926C 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO9926C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKV,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKV,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKV,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKSH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKSH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKSH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKV,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKV,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKV,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUD4C26NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3994,"23+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUD4C26NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.63W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:9.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKSH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKSH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKSH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKSH
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKSH

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKSH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKV,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKV,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKV,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AO9926C 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AO9926C 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO9926C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@15V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
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