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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.63A
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.63A
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.63A
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.63A
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.63A
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.63A
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.63A
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N357R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.63A
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：22+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVT-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：0.63A
类型：N-Channel
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN61D8LVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.9pF@12V
连续漏极电流：630mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
