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    包装方式
    类型: 2N沟道(双)
    漏源电压: 60V
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:3800+
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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1 起订2个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5866A-AU_R2_000A1 起订2个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€68.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7A€40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K32HZGTB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SP8K32HZGTB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SP8K32HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C680NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€19W

    阈值电压:2.2V@13µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:7.5A€26A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1 起订8224个装
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1 起订8224个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ960EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ960EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ960EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ968EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ968EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ968EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:714pF@30V

    连续漏极电流:23.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:33.6mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订510个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订510个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":35000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC155N06NDATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKXBZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:285mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C674NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C674NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37W

    阈值电压:2.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.2V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:26mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):181psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ9945BEY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@25V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:64mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C680NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€19W

    阈值电压:2.2V@13µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:7.5A€26A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002DW-TP 起订8个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002DW-TP 起订8个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26AATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L26AATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.2V@10µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:26mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L11ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@28µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002AKS,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002AKS,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002AKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L14AATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S4L14AATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.7mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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