首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1 起订8224个装
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1 起订8224个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKXBZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:285mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002DW-TP 起订8个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002DW-TP 起订8个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002V 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002AKS,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002AKS,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002AKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:502pF@30V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1026X-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1026X-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDW-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDW-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKXBZ 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKXBZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:285mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:260mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKSX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@30V

    连续漏极电流:210mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002DW 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFD9D0N06HLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFD9D0N06HLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFD9D0N06HLTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€26W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:948pF@30V

    连续漏极电流:9A€38A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订9个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订9个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFD9D0N06HLTWG 起订373个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFD9D0N06HLTWG 起订373个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2935,"23+":5115,"24+":5577}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFD9D0N06HLTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€26W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:948pF@30V

    连续漏极电流:9A€38A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWS-7 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWS-7 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:247mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06D52

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1011pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7351TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@50µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17.8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LVT-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LVT-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D1LV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧