品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138BKSX
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKXBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002AKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKXBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138BKSX
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@30V
连续漏极电流:9A€38A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88539ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:741pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2935,"23+":5115,"24+":5577}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFD9D0N06HLTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€26W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@30V
连续漏极电流:9A€38A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWS-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:247mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06D52
工作温度:-55℃~150℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1011pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7351TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@50µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17.8mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D8LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.9pF@12V
连续漏极电流:630mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.8Ω@150mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:550mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88537ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: