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    类型: 2N沟道(双)
    漏源电压: 60V
    阈值电压: 3V@250µA
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:200+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

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    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:2N沟道(双)

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

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    类型:2N沟道(双)

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:2500
    加购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

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    类型:2N沟道(双)

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

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    功率:2.4W

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    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

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    功率:2.4W

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    类型:2N沟道(双)

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

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    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

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    输入电容:910pF@24V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4946DCS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:910pF@24V

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    类型:2N沟道(双)

    功率:2.4W

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSD-13

    输入电容:502pF@30V

    功率:1.8W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6018LDR-13

    输入电容:869pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:8.8A

    漏源电压:60V

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    功率:1.9W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2223

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:22.4nC@10V

    输入电容:1287pF@25V

    类型:2N-Channel

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:40mΩ

    功率:1.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6018LDR-13

    输入电容:869pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:8.8A

    漏源电压:60V

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    功率:1.9W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9945BDY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    功率:1.3W

    输入电容:1287pF@25V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC89521L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC89521L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC89521L

    输入电容:1635pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:8.2A

    漏源电压:60V

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    功率:1.9W€16W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6070SSD-13

    输入电容:588pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:80mΩ@12A,10V

    类型:2N沟道(双)

    功率:1.2W

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:15A

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    功率:1W

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:5245pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6018LDR-13

    输入电容:869pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:8.8A

    漏源电压:60V

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    功率:1.9W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6018LDR-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6018LDR-13

    输入电容:869pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:8.8A

    漏源电压:60V

    导通电阻:17mΩ@8.2A,10V

    功率:1.9W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订92个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订92个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":750}

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09DN8TA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A09DN8TA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMN6A09DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    输入电容:1407pF@40V

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:40mΩ@8.2A,10V

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7220DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3

    连续漏极电流:3.4A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SSD-13

    输入电容:1287pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SSD-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6070SSD-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6070SSD-13

    输入电容:588pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:80mΩ@12A,10V

    类型:2N沟道(双)

    功率:1.2W

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6066SSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6066SSD-13

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:10.3nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:66mΩ@4.5A,10V

    类型:N-Channel

    漏源电压:60V

    输入电容:502pF@30V

    功率:1.8W

    连续漏极电流:4.4A

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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