品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1869pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4202DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@15V
连续漏极电流:12.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2367pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2367pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2367pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ844AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1161pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.6mΩ@7.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4202DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@15V
连续漏极电流:12.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4202DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@15V
连续漏极电流:12.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4202DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@15V
连续漏极电流:12.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4202DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@15V
连续漏极电流:12.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4920EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1465pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1869pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4920EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1465pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4920EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1465pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1869pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: