采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX8828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX8828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6806_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7828_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@300mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
