采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KA4TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KA4TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KA4TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4936DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8KA1TB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KA4TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HP8KA1TB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：HP8KA1TB
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功率：3W
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ECCN：EAR99
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输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SH8KA4TB
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功率：3W
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输入电容：640pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.4mΩ@9A，10V
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连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5mΩ@14A，10V
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类型：2N沟道（双）
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.4mΩ@9A，10V
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输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
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ECCN：EAR99
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输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
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连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5mΩ@14A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
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输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）
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工作温度：150℃
功率：3W
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ECCN：EAR99
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输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
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漏源电压：30V
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工作温度：150℃
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连续漏极电流：14A
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连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5mΩ@14A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：150℃
功率：3W
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连续漏极电流：14A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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输入电容：610pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KA4TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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