销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87352Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.5W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":30}
销售单位:个
规格型号(MPN):DF23MR12W1M1PB11BPSA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.55V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:1840pF@800V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@25A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3,"22+":29}
包装规格(MPQ):24psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FF45MR12W1M1B11BOMA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.55V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:1840pF@800V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@25A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DF23MR12W1M1B11BPSA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.55V@10mA
包装方式:托盘
输入电容:1840pF@800V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@25A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87335Q3DT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87335Q3DT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":70,"19+":2}
销售单位:个
规格型号(MPN):DF23MR12W1M1B11BOMA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:2000pF@800V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@25A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87335Q3DT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87335Q3DT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87352Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.5W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87335Q3DT
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87352Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.5W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87352Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.5W
阈值电压:1.15V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:23W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":24,"21+":192}
销售单位:个
规格型号(MPN):DF23MR12W1M1B11BPSA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.55V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:1840pF@800V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@25A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: