品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K6T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: