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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：490psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625DK6-G
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：托盘
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：490psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625DK6-G
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：托盘
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：490psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625DK6-G
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：托盘
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：490psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625DK6-G
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：托盘
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：490psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625DK6-G
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：托盘
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：490psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625DK6-G
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：托盘
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
