品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€1.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1888,"10+":2177}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO150N03
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€1.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€1.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€1.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:7.6A
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
输入电容:630pF@15V
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926C
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:7.6A
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
输入电容:630pF@15V
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO9926B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:7.6A
导通电阻:23mΩ@7.6A,10V
输入电容:630pF@15V
功率:2W
阈值电压:1.1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: