采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K11TCR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHS6376TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：63mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6022SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KA4TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8602M-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6022SSD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：116490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8657-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@20V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHS6376TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：63mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHS6376TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：63mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"14+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8653-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@4A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：6000，"16+"：40012}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8651R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8657-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@20V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHS6376TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：63mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLHS6376TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：63mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KA4TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：8.2A€32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8K11TCR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3018SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KA4TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KA4TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8657-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@20V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：59mΩ@2A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6022SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
