采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€68.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7A€40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.2V@98µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2546pF@25V
连续漏极电流：21A€111A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ960EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ968EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：714pF@30V
连续漏极电流：23.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33.6mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC155N06NDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC155N06NDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C674NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€37W
阈值电压：2.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：11A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.2V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB60EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.7mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K35-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€45W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@25V
连续漏极电流：12A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：64mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ952EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6022SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ952EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7069，"23+"：94567，"MI+"：2111}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L14ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.7mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010LPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2615pF@30V
连续漏极电流：13.1A€47.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
