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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K-AU_R1_000A1
功率：236mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
输入电容：50pF@25V
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：360mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX138K_R1_00001
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
输入电容：50pF@25V
功率：223mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K-AU_R1_000A1
功率：236mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
输入电容：50pF@25V
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：360mA
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAKVYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138BKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1028NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6898LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.28W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW€420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1A€1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000，"19+"：3000，"20+"：51000，"21+"：207295}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6301N-F085P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA938DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€7.8W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：425pF@10V
连续漏极电流：4.5A€4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21.5mΩ@5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2029USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1171pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
