品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C002NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3006SCA6-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2235pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C002NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C012NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C012NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":107}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C002NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3006SCA6-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2235pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C012NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C012NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C012NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3006SCA6-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2235pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3006SCA6-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2235pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C012NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C012NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C012NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C012NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3006SCA6-7
连续漏极电流:13A
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:800mW
导通电阻:5.5mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)共漏
输入电容:2235pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3006SCA6-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2235pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C002NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C002NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C002NLTDG
工作温度:150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C002NLTDG
阈值电压:2.2V@1mA
功率:2.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:2N沟道(双)共漏
输入电容:6200pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C002NLTDG
阈值电压:2.2V@1mA
功率:2.6W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:2N沟道(双)共漏
输入电容:6200pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: