品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:6.25W
连续漏极电流:11.6A€9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:6.25W
连续漏极电流:11.6A€9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6420C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
连续漏极电流:3A€2.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2450UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.1pF@10V
连续漏极电流:1.03A€700mA
类型:N和P沟道
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCPB5530X,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:34mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD3100CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.9A€3.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W€1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3.9A€2.1A
类型:N和P沟道
导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W€1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:3.9A€2.1A
类型:N和P沟道
导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6327C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@10V
连续漏极电流:2.7A€1.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2400UV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.1pF@10V
连续漏极电流:1.03A€700mA
类型:N和P沟道
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6332C
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA€600mA
类型:N和P沟道
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@10V
连续漏极电流:4A€3.7A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@10V
连续漏极电流:2.6A€2.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2700UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.12W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1.34A€1.14A
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N和P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD235CH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1.6µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@10V
连续漏极电流:950mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:350mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW€340mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:38pF@10V€43pF@10V
连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSD235CH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1.6µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@10V
连续漏极电流:950mA€530mA
类型:N和P沟道
导通电阻:350mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: