采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ500AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
导通电阻：27mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3016LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.2A€6.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3016LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.2A€6.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3016LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.2A€6.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ500AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
导通电阻：27mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ500AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
导通电阻：27mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ500AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
导通电阻：27mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3016LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.2A€6.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3016LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1415pF@15V
连续漏极电流：8.2A€6.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ500AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
导通电阻：27mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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