采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ560EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：30A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V€1580pF@40V
连续漏极电流：3.9A€3.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1029X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€23pF@25V
连续漏极电流：305mA€190mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC4559DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V€1021pF@30V
连续漏极电流：3.6A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4559ADY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ560EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：30A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4559ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4612
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：4.5A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：56mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4559ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7001C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V€66pF@25V
连续漏极电流：510mA€340mA
类型：N和P沟道
导通电阻：2Ω@510mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4612
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：4.5A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：56mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MC5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V€850pF@30V
连续漏极电流：3A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4611
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@30V€2900pF@30V
类型：N和P沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MC5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V€850pF@30V
连续漏极电流：3A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4612
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：4.5A€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：56mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8690-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V€790pF@20V
连续漏极电流：4.7A€3.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1029X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€23pF@25V
连续漏极电流：305mA€190mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MC5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V€850pF@30V
连续漏极电流：3A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC4559DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V€1021pF@30V
连续漏极电流：3.6A€2.6A
类型：N和P沟道
导通电阻：55mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.24W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V€1030pF@30V
连续漏极电流：5.1A€3.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：40mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC6040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.24W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V€1030pF@30V
连续漏极电流：5.1A€3.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：40mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4611
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@30V€2900pF@30V
类型：N和P沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V€1580pF@40V
连续漏极电流：3.9A€3.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8M31TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
