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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4564DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.2W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@20V
连续漏极电流：10A€9.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4028SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：604pF@20V
连续漏极电流：6.5A€4.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4564DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.2W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@20V
连续漏极电流：10A€9.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：N和P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8424H
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@20V
连续漏极电流：9A€6.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：N和P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4047LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：7A€5.1A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4554DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.2W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@6.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4564DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.2W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@20V
连续漏极电流：10A€9.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790.8pF@20V
连续漏极电流：5.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790.8pF@20V
连续漏极电流：5.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4564DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.2W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@20V
连续漏极电流：10A€9.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：N和P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4028SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：604pF@20V
连续漏极电流：6.5A€4.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@20V
连续漏极电流：6.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614BL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V€1175pF@20V
连续漏极电流：6A€5A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4028SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：604pF@20V
连续漏极电流：6.5A€4.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：28mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4050SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790.8pF@20V
连续漏极电流：5.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：45mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4897C
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@20V
连续漏极电流：6.2A€4.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：29mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4599DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@20V
连续漏极电流：6.8A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：35.5mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC4040SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1790pF@20V
连续漏极电流：6.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：25mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
