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    类型: N和P沟道
    漏源电压: 60V
    阈值电压: 2.5V@250µA
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ560EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:30A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM6502CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM6502CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1159pF@30V€930pF@30V

    连续漏极电流:24A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€23pF@25V

    连续漏极电流:305mA€190mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ560EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:30A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订12000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订12000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7001C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V€66pF@25V

    连续漏极电流:510mA€340mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€23pF@25V

    连续漏极电流:305mA€190mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€23pF@25V

    连续漏极电流:305mA€190mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7001C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V€66pF@25V

    连续漏极电流:510mA€340mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7001C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V€66pF@25V

    连续漏极电流:510mA€340mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7001C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V€66pF@25V

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    类型:N和P沟道

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ560EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:30A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7001C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V€66pF@25V

    连续漏极电流:510mA€340mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ560EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:30A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7001C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

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    输入电容:20pF@25V€66pF@25V

    连续漏极电流:510mA€340mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ560EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:30A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ560EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:30A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ560EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ560EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@25V

    连续漏极电流:30A€18A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

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    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€23pF@25V

    连续漏极电流:305mA€190mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7001C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7001C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V€66pF@25V

    连续漏极电流:510mA€340mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1029X-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€23pF@25V

    连续漏极电流:305mA€190mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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