品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM6502CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流:24A€18A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC6A09DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1407pF@40V€1580pF@40V
连续漏极电流:3.9A€3.7A
类型:N和P沟道
导通电阻:45mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1029SV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€23pF@25V
连续漏极电流:305mA€190mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC4559DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V€1021pF@30V
连续漏极电流:3.6A€2.6A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4559ADY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流:5.3A€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4559ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流:5.3A€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1029SV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4612
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流:4.5A€3.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:56mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4559ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€3.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流:5.3A€3.9A
类型:N和P沟道
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7001C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V€66pF@25V
连续漏极电流:510mA€340mA
类型:N和P沟道
导通电阻:2Ω@510mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1029SV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4612
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流:4.5A€3.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:56mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1029SV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@30V€2900pF@30V
类型:N和P沟道
导通电阻:25mΩ@6.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4612
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流:4.5A€3.2A
类型:N和P沟道
导通电阻:56mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€23pF@25V
连续漏极电流:305mA€190mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1029SV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC4559DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V€1021pF@30V
连续漏极电流:3.6A€2.6A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC6040SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.24W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@15V€1030pF@30V
连续漏极电流:5.1A€3.1A
类型:N和P沟道
导通电阻:40mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC6040SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.24W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@15V€1030pF@30V
连续漏极电流:5.1A€3.1A
类型:N和P沟道
导通电阻:40mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4611
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@30V€2900pF@30V
类型:N和P沟道
导通电阻:25mΩ@6.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC6A09DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1407pF@40V€1580pF@40V
连续漏极电流:3.9A€3.7A
类型:N和P沟道
导通电阻:45mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC4559DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1063pF@30V€1021pF@30V
连续漏极电流:3.6A€2.6A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1029SV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1029X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€23pF@25V
连续漏极电流:305mA€190mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7001C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V€66pF@25V
连续漏极电流:510mA€340mA
类型:N和P沟道
导通电阻:2Ω@510mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7001C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V€66pF@25V
连续漏极电流:510mA€340mA
类型:N和P沟道
导通电阻:2Ω@510mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1029SV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:N和P沟道
导通电阻:1.7Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: