销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J21TR
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6318P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6318P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:2.5A
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导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J21TR
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6318P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
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类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6318P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6318P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6318P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J21TR
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMDF2P02ER2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@16V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:250mΩ@2A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6318P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J21TR
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1270pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:68mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6318P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: