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    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:114pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:410mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@410mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6308P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:153pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6316P 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6316P 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6316P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:146pF@6V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:270mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:114pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6316P 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6316P 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6316P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:146pF@6V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:270mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:114pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订21000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订21000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订2015个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订2015个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:410mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@410mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6308P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:153pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订3个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:410mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@410mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6308P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6308P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:153pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:410mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@410mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:410mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@410mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:410mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@410mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:410mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@410mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订71个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订71个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订71个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订71个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订210000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订210000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:410mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@410mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6304P 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6304P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:410mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.1Ω@410mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDG6316P 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6316P 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6316P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:146pF@6V

    连续漏极电流:700mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:270mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DW-7-F 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

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