品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8667-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9351TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:170mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4937EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA3023PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:445pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL308PEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@11µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJS6809_S1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:115mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:17mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7316GTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3989EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@400mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9362TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9358TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1740pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:16.3mΩ@9.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8667-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4937EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF7316QTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J5TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:445pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:65mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":179696,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7328TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2675pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:563pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P15FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.7V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4813
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4925DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:7.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA2TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: