销售单位:个
规格型号(MPN):AON6992
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:19A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6994
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:19A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6992
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:19A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C88NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:11.7A€14.2A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6994
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:19A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6994
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:19A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@13V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@13V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2700,"19+":15000,"21+":4088,"22+":54185,"MI+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@13V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@13V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1086,"16+":3893,"18+":35100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1153pF@15V
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1086,"16+":3893,"18+":35100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1153pF@15V
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":789400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1153pF@15V
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":789400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1153pF@15V
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":789400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1153pF@15V
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6996
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:50A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1153pF@15V
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C88NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:11.7A€14.2A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@13V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6992
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:19A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@13V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLLD4951NFTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€810mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:5.5A€6.3A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:17.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1153pF@15V
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6994
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:19A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6994
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:19A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":789400}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C86NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1153pF@15V
连续漏极电流:11.3A€18.1A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2700,"19+":15000,"21+":4088,"22+":54185,"MI+":36000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8012S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1075pF@13V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD4C88NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:11.7A€14.2A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6992
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:19A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6992
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:19A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: