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    onsemi Mosfet场效应管 FDPC5018SG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC5018SG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC5018SG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1715pF@15V

    连续漏极电流:17A€32A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1 起订579个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1 起订579个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:17A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3604S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@15V

    连续漏极电流:13A€23A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:17A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3D

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C85NT1G 起订156个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD4C85NT1G 起订156个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":181228,"18+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD4C85NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.13W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:15.4A€29.7A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87355Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3DT

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0923NDIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@15V

    连续漏极电流:17A€32A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3009LDT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:11.1mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3669S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@15V

    连续漏极电流:13A€18A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3DT

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 HP8K24TB 起订42个装
    ROHM Mosfet场效应管 HP8K24TB 起订42个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HP8K24TB

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V€2410pF@15V

    连续漏极电流:15A€27A€26A€80A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87355Q5DT

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3009LDT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:11.1mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87334Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:6mΩ@12A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC5030SG 起订574个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC5030SG 起订574个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":25306,"21+":8741,"22+":544805,"MI+":50920}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC5030SG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1715pF@15V

    连续漏极电流:17A€25A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87334Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:6mΩ@12A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0924NDIATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0924NDIATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0924NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@15V

    连续漏极电流:17A€32A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5DT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87355Q5DT

    工作温度:-55℃~155℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D2N03DSD 起订118个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS1D2N03DSD 起订118个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":16964,"22+":36000}

    包装规格(MPQ):233psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS1D2N03DSD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€26W€2.3W€42W

    阈值电压:2.5V@320µA€3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:1410pF@15V€4860pF@15V

    连续漏极电流:19A€70A€37A€164A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC5018SG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPC5018SG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPC5018SG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1715pF@15V

    连续漏极电流:17A€32A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订532个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订532个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3606S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@15V

    连续漏极电流:13A€27A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOE6930 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOE6930 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOE6930

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W€75W

    阈值电压:2.1V@250µA€1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1075pF@15V€5560pF@15V

    连续漏极电流:22A€85A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3D

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3669S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@15V

    连续漏极电流:13A€18A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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