品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
连续漏极电流:13A€25A
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
阈值电压:2.7V@250µA
连续漏极电流:30A€60A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
功率:1W
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":9000}
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
连续漏极电流:13A€25A
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":3078}
规格型号(MPN):BSC0910NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.6mΩ@25A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A€31A
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:4500pF@12V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":1831,"24+":30000}
规格型号(MPN):FDMS3604S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0910NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.6mΩ@25A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A€31A
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:4500pF@12V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):1psc
规格型号(MPN):FDMS3626S
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:25V
输入电容:1570pF@13V
阈值电压:2V@250µA
类型:2N沟道(双)非对称型
连续漏极电流:17.5A€25A
导通电阻:5mΩ@17.5A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":51929,"24+":693}
规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:17A€31A
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
输入电容:1025pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3606S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13A€27A
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0924NDIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1160pF@15V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:5mΩ@20A,10V
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:17A€32A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@12V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:25V
阈值电压:2V@250µA
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:18A€30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3664S
连续漏极电流:13A€25A
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1765pF@15V
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1785pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
阈值电压:2.7V@250µA
导通电阻:10mΩ@13A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1605pF@15V
连续漏极电流:13A€18A
类型:2N沟道(双)非对称型
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@12V
连续漏极电流:18A€30A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@15V
连续漏极电流:17A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@15V
连续漏极电流:17A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0911NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@12V
连续漏极电流:18A€30A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0923NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@15V
连续漏极电流:17A€32A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: