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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：551}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.8W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.8W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：551}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：551}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3011LDT-7
工作温度：-55℃~155℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：8A€10.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.8W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3011LDT-7
工作温度：-55℃~155℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：8A€10.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3011LDT-7
工作温度：-55℃~155℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：8A€10.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3011LDT-7
工作温度：-55℃~155℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：8A€10.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3011LDT-7
工作温度：-55℃~155℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：8A€10.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3011LDT-7
工作温度：-55℃~155℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：8A€10.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10944}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3011LDT-7
工作温度：-55℃~155℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：8A€10.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.8W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87355Q5DT
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.8W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10944}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10944}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3011LDT-7
工作温度：-55℃~155℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：8A€10.7A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSG0810NDIATMA1
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：19A€39A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
