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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NDS352AP
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功率：500mW
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栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1200，"21+"：1650，"22+"：2489，"24+"：549}
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规格型号(MPN)：NDS352AP
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ECCN：EAR99
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
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类型：1个P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
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功率：500mW
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类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
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连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：300mΩ@10V，1A
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工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：21+/18+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
包装方式：卷带（TR）
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工作温度：-55℃~+150℃
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类型：1个P沟道
栅极电荷：3nC@4.5V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：300mΩ@10V，1A
输入电容：135pF@15V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：900mA
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：300mΩ@10V，1A
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功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
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包装清单：商品主体 * 1
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