品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS126H6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.6V@8µA
栅极电荷:2.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28pF@25V
连续漏极电流:21mA
类型:N沟道
导通电阻:500Ω@16mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS119NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@13µA
栅极电荷:0.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20.9pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@190mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3438_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.95nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":22095}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS340NWH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@1.6µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@15V
连续漏极电流:880mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@880mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13385F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@6V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@15V
连续漏极电流:400mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN304PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SD5401CY SOIC 14L ROHS
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:50mA
类型:4个N通道
导通电阻:75Ω@1mA,5V
漏源电压:10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SD5401CY SOIC 14L ROHS
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:50mA
类型:4个N通道
导通电阻:75Ω@1mA,5V
漏源电压:10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@11µA
栅极电荷:1.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@2.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSR202N L6327
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@30µA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:Reel
输入电容:1147pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX1029X,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:330mA€170mA
类型:N和P沟道
导通电阻:7.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V€50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5618P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@30V
连续漏极电流:1.25A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL316CH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
连续漏极电流:1.4A€1.5A
类型:N和P沟道互补型
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL308PEH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@11µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:80mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25485F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:533pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@900mA,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS205NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3439_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":173000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL214NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: